IRHNJ67C30SCS

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IRHNJ67C30SCS
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商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    2.2 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL部件号
    2N7598U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    2900 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • 最低 VBRDSS
    600 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
抗辐射 N 沟道 R6 MOSFET IRHNJ67C30SCS 是一款额定电压为 600V、容量为 3.4A 的单个器件。采用 SMD-0.5 封装,其电气性能高达 100krad(Si) TID、QIRL 分类。其低 RDS(on) 和快速开关时间使其成为高速开关应用的理想选择,而其电压控制和温度稳定性使其易于在各种应用中使用。注意:此部分已被 JANSR2N7598U3 取代

应用

文档

设计资源

开发者社区

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