IRHNJ6S7234

数据手册

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IRHNJ6S7234
IRHNJ6S7234
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    7.8 A
  • ID (@25°C) max
    12.4 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    210 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNJ6S7234 是抗辐射一代 R6 250V、12.4A N 沟道 MOSFET。该 COTS 部件具有高性能功率处理、改进的 SEE 免疫力和低 RDS(on)，使其成为空间应用、DC-DC 转换器和电机控制器的理想选择。它还具有高达 100krad(Si) TID 和高达 90MeV·cm2/mg 的 LET 有用性能。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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