IRHNJ7130
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IRHNJ7130

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IRHNJ7130
IRHNJ7130

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    9.1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    14.4 A
  • QG
    40 nC
  • QPL部件号
    2N7380U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    180 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHNJ7130 R4 MOSFET 是一款用于空间应用的抗辐射 COTS 器件。它具有 100V、9.1A 容量和低 RDS(on) 和栅极电荷,可降低 DC-DC 转换器和电机控制等高速开关应用中的功率损耗。通过总剂量和 SEE 特性证明了其性能和可靠性。采用 SMD-0.5 封装,设计易于集成。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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