IRHNJ7330SE
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IRHNJ7330SE

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封装

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IRHNJ7330SE
IRHNJ7330SE
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    3.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    5.3 A
  • QG
    41 nC
  • QPL部件号
    2N7465U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1200 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    400 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
单个 N 沟道 MOSFET 具有抗辐射能力，额定电压为 400V，额定电流为 5.3A。IRHNJ7330SE采用SMD-0.5封装，电气性能高达100krad(Si) TID。这款 COTS R4 MOSFET 非常适合空间应用，具有可靠性和低功耗。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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