IRHNJ7430SE
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IRHNJ7430SE

数据手册
封装

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IRHNJ7430SE
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    2.8 A
  • 最高 ID (@25°C)
    4.5 A
  • QG
    30 nC
  • QPL部件号
    2N7466U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1600 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.5
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 语言
    SPICE
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ7430SE N 沟道 MOSFET 是采用 R4 SMD-0.5 封装的单个 500V、4.5A 器件，抗辐射能力高达 100krad(Si) TID。它具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。MOSFET具有开关速度快、电压控制、电气参数稳定等特点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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