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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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IRHNJ7430SESCS N 沟道 MOSFET 采用抗辐射技术，电气性能高达 100krad(Si) TID，并且是采用 SMD-0.5 封装的单个 500V、4.5A 器件。这款 R4 MOSFET 采用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，具有低 RDS(on) 和栅极电荷以及快速开关功能，非常适合空间应用。
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