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IRHNJ7430SESCS

数据手册
封装

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IRHNJ7430SESCS
IRHNJ7430SESCS
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    2.8 A
  • ID (@25°C) max
    4.5 A
  • QG
    30 nC
  • QPL部件号
    2N7466U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    1600 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    500 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNJ7430SESCS N 沟道 MOSFET 采用抗辐射技术，电气性能高达 100krad(Si) TID，并且是采用 SMD-0.5 封装的单个 500V、4.5A 器件。这款 R4 MOSFET 采用 IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术，具有低 RDS(on) 和栅极电荷以及快速开关功能，非常适合空间应用。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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