IRHNKC63C30
现货，推荐

IRHNKC63C30

工作电压范围 20 V - 650 V，符合 DLA 及 ESA 航天级标准。
数据手册
封装

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IRHNKC63C30
IRHNKC63C30
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    3.1 Ω
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射，600 V，3.5 A，N 沟道 MOSFET，R6 采用 SMD-0.5e 陶瓷盖封装 - 300 krad(Si) TID，COTS

特性

  • 抗单粒子效应加固
  • 低 RDS(on) )
  • 快速开关
  • 低总栅极电荷
  • 驱动要求简单
  • 气密密封
  • 陶瓷封装
  • 重量轻
  • 表贴安装
  • 静电防护等级：2 级（MIL-STD-750，1020）
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