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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
AURIX™ TriCore™ 32位微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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微控制器
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IRHNKC67C30
商品详情
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SEE1 MeV∙cm2/mg
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VBRDSS600 V
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最高 VF1.2 V
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封装SMD-0.5e
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生成R6
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OPN
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抗辐射，600V，3.5A，N沟道MOSFET，R6采用SMD-0.5e陶瓷盖封装 - 100krad(Si) TID，COTS
特性
- 单粒子效应 (SEE) 硬化
- 低 RDS(on)
- 快速开关
- 低总栅极电荷
- 简单的驱动要求
- 全密封
- 增强型陶瓷封装，可直接安装到 PCB 上
- 重量轻
- 表面贴装，与 PCB 的 CTE 失配低
- ESD 等级：2 级，符合 MIL-STD-750，方法 1020
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文档