IRHNKC67C30
现货，推荐

IRHNKC67C30

20 V 至 650 V，符合 DLA 和 ESA 太空标准
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNKC67C30
IRHNKC67C30
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@25°C)
    3.4 A
  • QG
    52 nC
  • QPL部件号
    2N7598U3CE
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    3.1 Ω
  • SEE
    1 MeV∙cm2/mg
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    600 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5e
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 Enhanced SMD0.5
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射，600V，3.5A，N沟道MOSFET，R6采用SMD-0.5e陶瓷盖封装 - 100krad(Si) TID，COTS

特性

  • 单粒子效应 (SEE) 硬化
  • 低 RDS(on)
  • 快速开关
  • 低总栅极电荷
  • 简单的驱动要求
  • 全密封
  • 增强型陶瓷封装，可直接安装到 PCB 上
  • 重量轻
  • 表面贴装，与 PCB 的 CTE 失配低
  • ESD 等级：2 级，符合 MIL-STD-750，方法 1020

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区