IRHNM57214SE
不建议用于新设计

IRHNM57214SE

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.

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IRHNM57214SE
IRHNM57214SE

商品详情

  • ESD等级
    Class 1B
  • 最高 ID (@100°C)
    2.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    3.7 A
  • QG
    9.1 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    1700 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHNM57214SE 是一款 SMD-0.2 封装的抗辐射 N 沟道 MOSFET封装该单个 R5 MOSFET 的额定电压为 250V,额定电流为 3.7A,非常适合空间应用。它的电气性能高达 100krad(TID),并且是 COTS 部件。低 RDS(on) 与低栅极电荷相结合,使其非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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