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IRHNM57214SE

数据手册
封装

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IRHNM57214SE
IRHNM57214SE
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1B
  • ID (@100°C) max
    2.4 A
  • ID (@25°C) max
    3.7 A
  • QG
    9.1 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    1700 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • VF max
    1 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    SMD-0.2
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    1
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNM57214SE 是一款 SMD-0.2 封装的抗辐射 N 沟道 MOSFET封装该单个 R5 MOSFET 的额定电压为 250V，额定电流为 3.7A，非常适合空间应用。它的电气性能高达 100krad（TID），并且是 COTS 部件。低 RDS(on) 与低栅极电荷相结合，使其非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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