不建议用于新设计

IRHNM593110

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNM593110
IRHNM593110
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • ID (@100°C) max
    -2 A
  • ID (@25°C) max
    -3.1 A
  • QG
    11 nC
  • QPL部件号
    2N7506U8
  • RDS (on) (@25°C) max
    1200 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -100 V
  • VF max
    -5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    P
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNM593110 是一款 R5、抗辐射、-100V、-3.1A、单通道 P 通道 MOSFET，采用 SMD-0.2封装其电气性能高达 300krad(Si) TID，并具有低 RDS(on) 和低栅极电荷，使其适用于 DC-DC 转换器和电机控制器等开关应用，同时保留了 MOSFET 的优点。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }