不建议用于新设计

IRHNM9A7120SCS

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHNM9A7120SCS
IRHNM9A7120SCS

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL部件号
    2N7651U8
  • RDS (on) (@25°C) max
    55 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    QIRL
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
封装名 SMD-0.2 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNM9A7120SCS 是一款 SMD-0.2 封装的抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET封装该单个 MOSFET 的额定电压为 100V,额定电流为 23A,非常适合空间应用。其电气性能高达100krad(TID)和QIRL分类。低 RDS(on) 和快速开关时间使其非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。它保留了 MOSFET 的所有优点,同时提高了 SEE 免疫力。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }