不建议用于新设计

IRHNMC9A7120

This part is active, but not recommended for new design. A new footprint compatible package version will be released soon.
数据手册
封装

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IRHNMC9A7120
IRHNMC9A7120
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    14 A
  • ID (@25°C) max
    23 A
  • QG
    23 nC
  • QPL部件号
    2N7651U8C
  • RDS (on) (@25°C) max
    55 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.2C
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    1.7
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.2 Ceramic Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNMC9A7120 是采用 SMD-0.2C 封装的抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET。该 COTS MOSFET 额定电压为 100V，电流处理能力为 23A，电气性能高达 100krad(Si) TID。其低 RDS(on) 和快速开关时间使其成为空间应用中 DC-DC 转换器和电机驱动器的理想选择。IRHNMC9A7120 具有出色的 SEE 免疫力，其 LET 特性高达 90 MeV·cm2/mg。

应用

文档

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