IRHNS57160
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IRHNS57160

数据手册
封装

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IRHNS57160
IRHNS57160
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    69 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7469U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    12 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHNS57160 R5 MOSFET 是一种非常适合空间应用的抗辐射设备。它采用 100V、75A 容量和 SupIR-SMD 封装，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低高速开关中的功率损耗。已证实 SEE 的 LET 高达 80MeV·cm2/mg，并且已归类为 COTS。保留了MOSFET的优点，例如电压控制、快速开关和易于并联。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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