IRHNS57163SE
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IRHNS57163SE

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封装

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IRHNS57163SE
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    57 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7472U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    13.5 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
SupIR-SMD 封装中的抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET IRHNS57163SE 额定电压为 130V，可处理高达 75A 的电流。该 COTS 部件的电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合空间应用。低 RDS(on) 和低栅极电荷使其非常适合开关应用，并且它保留了 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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