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IRHNS57163SE

数据手册
封装

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IRHNS57163SE
IRHNS57163SE
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    57 A
  • ID (@25°C) max
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL Part Number
    2N7472U2A
  • RDS (on) (@25°C) max
    13.5 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    130 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    SupIR-SMD
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
SupIR-SMD 封装中的抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET IRHNS57163SE 额定电压为 130V，可处理高达 75A 的电流。该 COTS 部件的电气性能高达 100krad(Si) TID，非常适合空间应用。低 RDS(on) 和低栅极电荷使其非常适合开关应用，并且它保留了 MOSFET 的所有优点。

应用

文档

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