IRHNS63164
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IRHNS63164

数据手册
封装

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IRHNS63164
IRHNS63164
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    49 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    230 nC
  • QPL部件号
    2N7581U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    18 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    6
  • 质量等级
    COTS

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNS63164 是单个器件，额定电压为 150V，额定电流为 56A。它是 IR HiRel 代 R6 技术的一部分，采用 SupIR-SMD 封装。电气性能高达300krad(Si)TID等级，适用于空间应用。低 RDS(on) 和低栅极电荷可减少开关过程中的功率损耗。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区