IRHNS9A7064
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IRHNS9A7064

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IRHNS9A7064
IRHNS9A7064
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    100 A
  • 最高 ID (@25°C)
    100 A
  • QG
    194 nC
  • QPL部件号
    2N7652U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    4 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
采用 SupIR-SMD 封装的 IRHNS9A7064 R9 N 沟道 MOSFET 具有 60V/100A 额定值和高达 100krad(Si) TID 的电气性能，具有抗辐射性能。它对 SEE 和 LET 的免疫力提高到 90MeV·cm2/mg，使其非常适合空间应用。它是一种 COTS 设备，为高速开关应用提供低 RDS(on) 和更快的开关时间。IRHNS9A7064保留了MOSFET的所有优点，例如电压控制和温度稳定性。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区