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IRHY57230CMSE

数据手册
封装

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IRHY57230CMSE
IRHY57230CMSE
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1A
  • ID (@100°C) max
    7.8 A
  • ID (@25°C) max
    12 A
  • QG
    28 nC
  • QPL Part Number
    2N7489T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    230 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100
  • Package
    TO-257AA
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHY57230CMSE R5 N 沟道 MOSFET 是一种用于空间应用的抗辐射功率器件。该 COTS 器件具有 200V/12A 额定值、低 RDS(on) 和低栅极电荷，可降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。其可靠性通过数十年经过验证的 TID 和 SEE 性能和特性得到保证。其电气性能高达 100krad(Si) TID，采用 TO-257AA 封装，专为空间电源系统而设计。

应用

文档

文档

设计资源

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