IRHY57230CMSE
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IRHY57230CMSE

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IRHY57230CMSE
IRHY57230CMSE

商品详情

  • ESD等级
    Class 1A
  • 最高 ID (@100°C)
    7.8 A
  • 最高 ID (@25°C)
    12 A
  • QG
    28 nC
  • QPL部件号
    2N7489T3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    230 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHY57230CMSE R5 N 沟道 MOSFET 是一种用于空间应用的抗辐射功率器件。该 COTS 器件具有 200V/12A 额定值、低 RDS(on) 和低栅极电荷,可降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。其可靠性通过数十年经过验证的 TID 和 SEE 性能和特性得到保证。其电气性能高达 100krad(Si) TID,采用 TO-257AA 封装,专为空间电源系统而设计。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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