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IRHYB597034CM

数据手册
封装

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IRHYB597034CM
IRHYB597034CM
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    -13 A
  • ID (@25°C) max
    -20 A
  • QG
    45 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    87 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    -60 V
  • VF max
    -5 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • Polarity
    P
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    COTS
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
IRHYB597034CM 是一款 R5、抗辐射、-60V、-20A、单 P 通道 MOSFET，采用 TO-257AA 无极低欧姆封装。它的电气性能高达 100krad(Si) TID，其低 RDS(on) 和栅极电荷可节省 DC-DC 转换器和电机控制中的电力。保留了MOSFET的优点，具有电压控制、快速开关和温度稳定性。

应用

文档

文档

设计资源

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