IRHYB67134CM
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IRHYB67134CM

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封装

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IRHYB67134CM
IRHYB67134CM
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    12 A
  • 最高 ID (@25°C)
    19 A
  • QG
    50 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    90 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    150 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
IRHYB67134CM R6 N沟道MOSFET是单辐射加固器件，最大电压为150V，最大电流为19A。该 COTS 器件可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。该抗辐射 MOSFET 采用 TO-257AA 无凸缘低欧姆封装，非常适合空间和辐射敏感应用。其低 RDS(on) 和低栅极电荷可确保开关应用的高效率。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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