IRHYS6S7230CM

IRHYS6S7230CM

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IRHYS6S7230CM
IRHYS6S7230CM
  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    10 A
  • 最高 ID (@25°C)
    16 A
  • QG
    42 nC
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    130 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHYS6S7230CM 单个 R6 N 沟道 MOSFET,可承受高达 100krad(Si)TID 辐射。其低 RDS(on) 和栅极电荷提供了卓越的性能和可靠性,使其成为空间应用的理想选择。这款 COTS MOSFET 具有 200V 和 16A 容量,非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }