现货,推荐
符合RoHS标准

IRL80HS120

适用于低 VGS 的新型逻辑电平 MOSFET
每件.
有存货

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IRL80HS120
IRL80HS120
每件.

商品详情

  • ID (@25°C) max
    12.5 A
  • IDpuls max
    41 A
  • Ptot max
    11.5 W
  • Qgd
    1.8 nC
  • QG (typ @4.5V)
    4.7 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    42 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    42 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    32 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • RthJC max
    13 K/W
  • Rth
    13 K/W
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • Mounting
    SMD
  • Package
    PQFN 2 x 2 (DFN2020)
  • Operating Temperature
    -55 °C to 175 °C
  • Polarity
    N
  • Budgetary Price €/1k
    0.25
OPN
IRL80HS120
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 PQFN 2 x 2
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 PQFN 2 x 2
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
英飞凌的新型逻辑电平功率 MOSFET 具有三种不同的电压等级(60V、80V 和 100V),非常适合无线充电、电信和适配器应用。PQFN 2x2 封装特别适合高速切换和尺寸关键型应用。它可以实现更高的功率密度和更高的效率,同时显著节省空间。

特性

  • FOM(RDS(on)xQg/gd)
  • 优化的 Q g、Coss
  • 逻辑电平兼容性
  • 微型 PQFN 2 x 2 毫米封装

产品优势

  • 最小的封装尺寸
  • 更高的功率密度设计
  • 更高的开关频率
  • 采用 5V 电源减少零件数量
  • 直接由微控制器驱动
  • 降低系统成本

文档

设计资源

开发者社区

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