IRL80HS120
现货，推荐
符合RoHS标准

IRL80HS120

适用于低 VGS 的新型逻辑电平 MOSFET
数据手册
封装

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IRL80HS120
IRL80HS120
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    12.5 A
  • 最高 IDpuls
    41 A
  • 最高 Ptot
    11.5 W
  • Qgd
    1.8 nC
  • QG (typ @4.5V)
    4.7 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    32 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    42 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V LL)
    42 mΩ
  • 最高 RthJA
    60 K/W
  • 最高 RthJC
    13 K/W
  • Rth
    13 K/W
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    1.2 V 至 2 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 2 x 2 (DFN2020)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level
  • 预算价格€/1k
    0.25
推荐的
OPN
IRL80HS120
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-6
封装名 PQFN 2 x 2
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-6
封装名 PQFN 2 x 2
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌的新型逻辑电平功率 MOSFET 具有三种不同的电压等级（60V、80V 和 100V），非常适合无线充电、电信和适配器应用。PQFN 2x2 封装特别适合高速切换和尺寸关键型应用。它可以实现更高的功率密度和更高的效率，同时显著节省空间。

特性

  • FOM(RDS(on)xQg/gd)
  • 优化的 Q g、Coss
  • 逻辑电平兼容性
  • 微型 PQFN 2 x 2 毫米封装

产品优势

  • 最小的封装尺寸
  • 更高的功率密度设计
  • 更高的开关频率
  • 采用 5V 电源减少零件数量
  • 直接由微控制器驱动
  • 降低系统成本
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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