IRLML2060
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IRLML2060

采用 Micro 3 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册
封装

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IRLML2060
IRLML2060
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    1.2 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    1.25 W
  • Qgd
    0.4 nC
  • QG (typ @4.5V)
    0.67 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    640 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    480 mΩ
  • 最高 RthJA
    100 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2.5 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-23
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 特殊功能
    Logic Level, Small Power
  • 预算价格€/1k
    0.05
推荐的
OPN
IRLML2060TRPBF
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
SOT23
封装名 SOT-23
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
SOT23
封装名 SOT-23
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS(on) 和高电流能力进行了优化。 这些器件非常适合要求高性能和耐用性的低频应用。丰富的产品组合适合广泛的应用，包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 变换器。

特性

  • 标准表面贴装电源封装
  • 符合 JEDEC 标准
  • 低于 100 kHz 的开关应用
  • 更软的体二极管

产品优势

  • 采用标准引脚排列的直接替换
  • 行业标准资质等级
  • 高性能、低频率
  • 提高功率密度
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }