IRLMS5703

IRLMS5703

采用 TSOP-6（Micro 6）封装的 -30V 单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRLMS5703
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数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    -2.4 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    1.7 W
  • Qgd
    2.3 nC
  • QG (typ @10V)
    7.2 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    180 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    325 mΩ
  • 最高 RthJA
    75 K/W
  • 最高 Tj
    150 °C
  • 最高 VDS
    -30 V
  • 最低 VGS(th)
    -1 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TSOP-6
  • 极性
    P
  • 湿度敏感等级
    1

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准

产品优势

  • 符合 RoHS 规定
  • 低 RDS(on)
  • 行业领先的品质
  • 动态 dv/dt
  • 额定值 快速切换
  • 完全符合雪崩等级
  • 工作温度 175°C
  • P沟道MOSFET

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区