IRLSL3036

采用 TO-262 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET
数据手册

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IRLSL3036
IRLSL3036
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    270 A
  • Ptot max
    380 W
  • Qgd
    51 nC
  • QG (typ @4.5V)
    91 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    2.4 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2.8 mΩ
  • RthJC max
    0.4 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • VGS max
    16 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 逻辑电平：针对 10V 栅极驱动电压（称为正常电平）进行了优化，并且能够在 4.5V 栅极驱动电压下驱动
  • 行业标准通孔功率封装
  • 高电流承载能力封装（高达 195A，取决于芯片尺寸）
  • 可进行波峰焊

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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