IRLSL3036

IRLSL3036

采用 TO-262 封装的 60V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET

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IRLSL3036
IRLSL3036
  • 最高 ID (@25°C)
    270 A
  • 最高 Ptot
    380 W
  • Qgd
    51 nC
  • QG (typ @4.5V)
    91 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.4 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    2.8 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.4 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    1 V 至 2.5 V
  • VGS(th)
    1.75 V
  • 最高 VGS
    16 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    I2PAK (TO-262)
  • 极性
    N
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:

产品优势

  • 针对分销合作伙伴的最广泛可用性进行了优化
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 逻辑电平:针对 10V 栅极驱动电压(称为正常电平)进行了优化,并且能够在 4.5V 栅极驱动电压下驱动
  • 行业标准通孔功率封装
  • 高电流承载能力封装(高达 195A,取决于芯片尺寸)
  • 可进行波峰焊

应用

文档

设计资源

开发者社区

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