现货，推荐
符合RoHS标准

ISC010N04NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 40 V 正常电平，采用最新的英飞凌技术，采用 SuperSO8 封装
数据手册
封装
每件.
有存货

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ISC010N04NM6
ISC010N04NM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID max
    285 A
  • ID (@25°C) max
    285 A
  • IDpuls max
    1140 A
  • Ptot max
    150 W
  • QG (typ @10V)
    67 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1 mΩ
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Fused leads
  • 预算价格€/1k
    0.68
推荐的
OPN
ISC010N04NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 FL
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
这款一流的 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 40 V 正常电平具有 1.0mOhm 的极低 RDS(on) ，为正常电平（较高阈值电压）应用（如电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动器）提供了基准解决方案。标准电平产品系列的 Vth 越高，意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致误导通。

特性

  • N 沟道增强模式
  • 正常电平栅极阈值（典型值 2.3V）
  • MSL1 高达 260°C 峰值回流
  • 175°C 结温
  • 优化的充电比
  • 低栅极电荷
  • 100% 雪崩测试
  • 卓越的热阻

产品优势

  • 误开启免疫
  • 更少的开关损耗，更低的栅极电荷
  • 适合 FOC 和 DTC 电机控制

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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