ISC010N04NM6
现货，推荐
符合RoHS标准

ISC010N04NM6

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 40 V 正常电平，采用最新的英飞凌技术，采用 SuperSO8 封装
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

ISC010N04NM6
ISC010N04NM6
数据手册
  • 最高 ID
    285 A
  • 最高 ID (@25°C)
    285 A
  • 最高 IDpuls
    1140 A
  • 最高 Ptot
    150 W
  • QG (typ @10V)
    67 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1 mΩ
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    1.8 V 至 2.8 V
  • VGS(th)
    2.3 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Fused leads
  • 预算价格€/1k
    0.68
推荐的
OPN
ISC010N04NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 FL
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8 FL
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款一流的 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 40 V 正常电平具有 1.0mOhm 的极低 RDS(on) ，为正常电平（较高阈值电压）应用（如电池供电应用、电池供电工具、电池管理和低压驱动器）提供了基准解决方案。标准电平产品系列的 Vth 越高，意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致误导通。

特性

  • N 沟道增强模式
  • 正常电平栅极阈值（典型值 2.3V）
  • MSL1 高达 260°C 峰值回流
  • 175°C 结温
  • 优化的充电比
  • 低栅极电荷
  • 100% 雪崩测试
  • 卓越的热阻

产品优势

  • 误开启免疫
  • 更少的开关损耗，更低的栅极电荷
  • 适合 FOC 和 DTC 电机控制
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }