新品
现货，推荐
符合RoHS标准

ISC016N06NM5SC

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OptiMOS™ 5 60V 开关优化功率 MOSFET，PQFN 5x6 双面散热漏极向下封装
数据手册
封装

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ISC016N06NM5SC
ISC016N06NM5SC
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    249 A
  • IDpuls max
    996 A
  • Ptot max
    188 W
  • QG (typ @10V)
    74 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.6 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Dual-Side Cooling
推荐的
OPN
ISC016N06NM5SCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS™ 5 开关优化型 60 V 功率 MOSFET，采用 PQFN 5x6 双面散热漏极向下封装，具有低导通电阻/低开关损耗及优异的散热性能，可满足 AI、数据中心以及电信应用领域的电源转换需求。漏极向下 DSC 5x6 封装实现了高密度电流和紧凑的电源架构，满足高密度数据中心服务器中 GPU/加速器供电轨的效率、瞬态和可靠性指标要求。

特性

  • 低RDS(on)，优化的开关损耗
  • 低噪声，实现快速开关
  • 低电压过冲
  • 针对先进AI拓扑进行优化
  • 低Qg/Qoss，实现高频工作
  • PQFN 5x6，双面散热封装

产品优势

  • 易于使用
  • 一流的系统效率
  • 低通态和开关损耗
  • 更高的转换效率，更少的散热
  • 可靠性的标杆
  • 更高的功率密度

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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