现货，推荐
符合RoHS标准

ISC031N08NM6SC

OptiMOS ™ 6 N 沟道功率 MOSFET 80 V，采用 SuperSO8 双面冷却
数据手册
封装

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ISC031N08NM6SC
ISC031N08NM6SC
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    145 A
  • QG (typ @10V)
    37 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    3.1 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Dual-Side Cooling
推荐的
OPN
ISC031N08NM6SCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
包装尺寸 4000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 6 80 V - 最新的功率 MOSFET 技术，提供行业基准性能。 与其前代产品 OptiMOS ™ 5 相比，英飞凌最新的晶圆技术显著提高了性能，包括 SuperSO8 DSC 中的 RDS(on) 降低 >21% 以及 FOMQg x RDS(on) 提高 ~40%。 性能的提升带来了更高的系统效率和功率密度。 联系我们获取更多信息！

特性

  • 高性能硅技术
  • RDS(on) 针对目标应用进行了优化
  • 低顶部 RthJC (0/72 K/W)
  • 额定温度为 175°C
  • 行业资质

产品优势

  • 传导损耗低于 OptiMOS ™ 5
  • 开关损耗比 OptiMOS ™ 5 更低
  • 改善散热
  • 改进的功率、SOA 雪崩电流
  • 强劲可靠的性能
  • SuperSO8 的直接替代品

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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