ISZ023N06LM6
现货，推荐
符合RoHS标准

ISZ023N06LM6

OptiMOS™ 6 60 V - 最新的功率 MOSFET 技术，树立了行业基准性能的新标准。
数据手册
封装

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ISZ023N06LM6
ISZ023N06LM6
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    149 A
  • QG (typ @10V)
    46 nC
  • QG (typ @4.5V)
    22 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.3 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    2.9 mΩ
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    1.1 V 至 2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
推荐的
OPN
ISZ023N06LM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
与前代产品 OptiMOS™ 5 相比，英飞凌最新的晶圆技术实现了显著的性能提升，包括 RDS(on) 降低 37% 以上，FOMQg x RDS(on) 提高约 25%。这些性能提升可提高软开关拓扑和低频应用中的系统效率和功率密度。

特性

  • High performance silicon technology
  • Soft-switching optimized
  • Normal level gate drive
  • 175°C rated
  • Industrial qualification

产品优势

  • Lower conduction losses than OptiMOS™ 5
  • Lower switching losses than OptiMOS™ 5
  • Improved performance efficiency
  • Superior power handling capability
  • Robust reliable performance
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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