现货，推荐
符合RoHS标准

ISZ157N08NM6

OptiMOS ™ 6 n 沟道功率 MOSFET 80 V，PQFN 3.3x3.3
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

ISZ157N08NM6
ISZ157N08NM6
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    37 A
  • QG (typ @10V)
    8.3 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    15.7 mΩ
  • VDS max
    80 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 极性
    N
推荐的
OPN
ISZ157N08NM6ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ 6 80 V - 最新的功率 MOSFET 技术通过广泛的产品组合设定了新的行业基准性能。 与最新的 OptiMOS ™ 5 技术相比，英飞凌领先的薄晶圆技术可显著提高性能，包括将 R DS(on) 降低 28% 以上，并将 PQFN 3.3x3.3 中的 FOM 提高约 40%。性能的提升使得热设计更加容易、并联更少，从而提高系统效率、提高功率密度并降低系统成本。 英飞凌的 OptiMOS ™ 6 80 V 系列非常适合电信、服务器和太阳能等高开关频率应用，并且由于性能改进，OptiMOS ™ 6 80 V 还可用于电池供电应用以及电池管理系统 (BMS)。

特性

  • 基准性能
  • RDS(on) 选项，实现最佳成本/性能
  • 行业标准封装
  • 正常水平栅极驱动
  • 额定温度 175°C
  • 工业级认证

产品优势

  • 传导损耗低于 OptiMOS ™ 5
  • 开关损耗低于 OptiMOS ™ 5
  • 广泛的产品组合，打造灵活的供应链
  • 抗误开启
  • 改进的功率、SOA 和雪崩电流
  • 稳定可靠的性能

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }