ISZ56DP15LM
现货，推荐
符合RoHS标准

ISZ56DP15LM

逻辑级 P 沟道 MOSFET，降低中低功率应用的设计复杂性
数据手册
封装

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ISZ56DP15LM
ISZ56DP15LM
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    -6.7 A
  • 最高 IDpuls
    -27 A
  • 最高 Ptot
    62.5 W
  • QG (typ @10V)
    -30 nC
  • QG (typ @4.5V)
    -15.2 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    560 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    550 mΩ
  • 最高 VDS
    -150 V
  • VGS(th) 范围
    -1 V 至 -2 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3 FL
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    P
推荐的
OPN
ISZ56DP15LMATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ P 沟道 MOSFET 150 V，采用 PQFN 3.3x3.3 封装封装，针对电池管理、负载开关和反极性保护应用，降低中低功率应用的设计复杂性。它们提供与 MCU 的简便接口、快速切换以及雪崩强度，适用于高质量要求的应用。具有宽 RDS(on) 范围的逻辑电平，可提高低负载下的效率。

特性

  • 提供 6 种不同封装
  • 宽 RDS(on) 范围
  • 提供正常电平和逻辑电平
  • 针对各种应用进行了优化
  • 可从分销合作伙伴处获取

产品优势

  • 行业标准封装
  • 适用于高和低开关频率
  • 雪崩耐受性
  • 轻松连接到 MCU
  • 低负载下高效，低 Qf
  • 降低设计复杂性
  • 能源效率

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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