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JANSF2N7261

数据手册
封装

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JANSF2N7261
JANSF2N7261
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    5 A
  • ID (@25°C) max
    8 A
  • QG
    50 nC
  • QPL Part Number
    2N7261
  • RDS (on) (@25°C) max
    180 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.5 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-205AF
  • Polarity
    N
  • Generation
    R4
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7261 R4 N 沟道 MOSFET 是一种适用于空间应用的抗辐射器件，具有高性能和可靠性。该设备的最大电压为 100V，可处理高达 8A 的电流。凭借低 RDS(on) 和低栅极电荷，它可以降低 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用中的功率损耗。其电气性能可承受高达300krad(Si)的总剂量和单粒子效应(SEE)。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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