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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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JANSF2N7261
商品详情
-
ESD等级Class 1C
-
最高 ID (@100°C)5 A
-
最高 ID (@25°C)8 A
-
QG50 nC
-
QPL部件号2N7261
-
最高 RDS (on) (@25°C)180 mΩ
-
最高 TID300 Krad(Si)
-
VBRDSS100 V
-
最高 VF1.5 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装TO-205AF
-
极性N
-
生成R4
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸3
-
认证标准DLA
-
语言SPICE
-
配置Discrete
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OPN
|
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| 产品状态 | |
| 英飞凌封装名称 | |
| 封装名 | |
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JANSF2N7261 R4 N 沟道 MOSFET 是一种适用于空间应用的抗辐射器件，具有高性能和可靠性。该设备的最大电压为 100V，可处理高达 8A 的电流。凭借低 RDS(on) 和低栅极电荷，它可以降低 DC-DC 转换器和电机控制等开关应用中的功率损耗。其电气性能可承受高达300krad(Si)的总剂量和单粒子效应(SEE)。
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