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JANSF2N7269U

数据手册
封装

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JANSF2N7269U
JANSF2N7269U
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    16 A
  • ID (@25°C) max
    26 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7269U
  • RDS (on) (@25°C) max
    100 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.4 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-1
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-1 standard
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
这款抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSF2N7269U 采用 SMD-1 封装，额定电压为 200V，电流容量为 26A。该 R4 设备具有 QPL 分类和高达 300krad(Si) TID 的电气性能，专为空间应用而设计。其低 RDS(on) 和低栅极电荷相结合，降低了开关应用中的功率损耗。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }