JANSF2N7469U2A
现货,推荐

JANSF2N7469U2A

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSF2N7469U2A
JANSF2N7469U2A

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    69 A
  • 最高 ID (@25°C)
    75 A
  • QG
    160 nC
  • QPL部件号
    2N7469U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    12 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANSF2N7469U2A N 沟道 MOSFET 具有抗辐射性能,电压为 100V,电流为 75A,采用单个 SupIR-SMD 封装。其电气性能高达300krad(Si) TID和QPL分类。IR HiRel R5 技术在高可靠性空间应用方面提供了经过验证的飞行传承。该器件的低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为开关应用的理想选择。

应用

文档

设计资源

开发者社区