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JANSF2N7470T1

数据手册
封装

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JANSF2N7470T1
JANSF2N7470T1
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    150 nC
  • QPL部件号
    2N7470T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    6 mΩ
  • TID max
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7470T1 R5 N 沟道 MOSFET 是一种专为空间应用而设计的抗辐射设备。它的额定电压高达 60V，额定电流为 45A。低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。该设备还具有高达 300krad(Si) TID 的电气性能，并具有单粒子效应 (SEE) 的特征。

应用

文档

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设计资源

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