JANSF2N7579U2A
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JANSF2N7579U2A

数据手册
封装

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JANSF2N7579U2A
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    56 A
  • 最高 ID (@25°C)
    56 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7579U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    10 mΩ
  • 最高 TID
    300 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-SOG-3
封装名 SUPIR SMD
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSF2N7579U2A 抗辐射 N 沟道 MOSFET 能够处理 100V 和 56A，并采用 SupIR-SMD 封装。这款 R5 MOSFET 具有高达 300krad (Si) TID 的电气性能、QPL 分类以及低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。非常适合空间应用中的高性能电源系统。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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