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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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JANSG2N7380
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QG40 nC
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QPL部件号2N7380
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最高 RDS (on) (@25°C)180 mΩ
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最高 TID500 Krad(Si)
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VBRDSS100 V
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最高 VF1.8 V
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产品类别Rad hard MOSFETS
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可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
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封装TO-257AA
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生成R4
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电压等级100 V
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认证标准DLA
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语言SPICE
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N 沟道 MOSFET JANSG2N7380 是单个抗辐射元件，额定电压为 100V，容量为 14.4A。其 TO-257AA 封装具有高达 500krad(Si) TID 的电气性能，非常适合空间应用。由于其低 RDS(on) 和功率损耗，符合 QPL 标准的 MOSFET 非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。
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