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JANSG2N7431

数据手册
封装

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JANSG2N7431
JANSG2N7431
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    35 A
  • ID (@25°C) max
    35 A
  • QG
    270 nC
  • QPL部件号
    2N7431
  • RDS (on) (@25°C) max
    21 mΩ
  • TID max
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
N 沟道 MOSFET JANSG2N7431 是一款专为空间应用而设计的高可靠性抗辐射设备。该单个 60V、35A R4 器件的电气性能高达 500krad(Si) TID，并符合 QPL 要求。其 IR HiRel HEXFET 技术可确保开关应用中的高性能和低功耗，同时保留所有完善的 MOSFET 功能。采用 TO-254AA 封装。

应用

文档

文档

设计资源

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