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JANSG2N7471T1

数据手册
封装

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JANSG2N7471T1
JANSG2N7471T1
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 3B
  • ID (@100°C) max
    45 A
  • ID (@25°C) max
    45 A
  • QG
    160 C
  • QPL Part Number
    2N7471T1
  • RDS (on) (@25°C) max
    13 mΩ
  • TID max
    500 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-254AA Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    6
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSG2N7471T1 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，电压高达 100V，电流容量为 45A。该器件采用 TO-254AA 低欧姆封装，其低 RDS(on) 和低栅极电荷可降低功率损耗，从而在空间应用中提供可靠的性能。这款 R5 MOSFET 具有高达 500krad(Si) TID 电气性能以及经过验证的总剂量和 SEE 性能，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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