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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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TriCore™ AURIX™ TC2x安全模块
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微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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JANSG2N7471T1 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，电压高达 100V，电流容量为 45A。该器件采用 TO-254AA 低欧姆封装，其低 RDS(on) 和低栅极电荷可降低功率损耗，从而在空间应用中提供可靠的性能。这款 R5 MOSFET 具有高达 500krad(Si) TID 电气性能以及经过验证的总剂量和 SEE 性能，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。
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