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JANSR2N7269

数据手册
封装

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JANSR2N7269
JANSR2N7269
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3A
  • ID (@100°C) max
    16 A
  • ID (@25°C) max
    26 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7269
  • RDS (on) (@25°C) max
    100 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • VF max
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO254-3
封装名 TO-254AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
N 沟道 MOSFET JANSR2N7269 是具有 200V 和 26A 能力的单个器件，采用 TO-254AA 封装。它经过抗辐射处理，TID 高达 100krad(Si)，符合 QPL 标准，具有低 RDS(on) 和栅极电荷，可降低开关应用中的功率损耗。MOSFET 的优点（如电压控制、快速开关和温度稳定性）得以保留。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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