JANSR2N7269
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JANSR2N7269

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JANSR2N7269
JANSR2N7269
  • ESD等级
    Class 3A
  • 最高 ID (@100°C)
    16 A
  • 最高 ID (@25°C)
    26 A
  • QG
    170 nC
  • QPL部件号
    2N7269
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    100 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    200 V
  • 最高 VF
    1.4 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-254AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    5
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
N 沟道 MOSFET JANSR2N7269 是具有 200V 和 26A 能力的单个器件,采用 TO-254AA 封装。它经过抗辐射处理,TID 高达 100krad(Si),符合 QPL 标准,具有低 RDS(on) 和栅极电荷,可降低开关应用中的功率损耗。MOSFET 的优点(如电压控制、快速开关和温度稳定性)得以保留。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }