现货，推荐

JANSR2N7380U3

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSR2N7380U3
JANSR2N7380U3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    9.1 A
  • ID (@25°C) max
    14.4 A
  • QG
    40 nC
  • QPL部件号
    2N7380U3
  • RDS (on) (@25°C) max
    180 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7380U3 是采用 SMD-0.5 封装的单 N 沟道 MOSFET，电气性能高达 100krad(Si) TID 并符合 QPL 资格。其抗辐射 R4 HEXFET 技术为额定电压为 100V 和 9.1A 的空间应用提供了可靠的功率 MOSFET。低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }