JANSR2N7380U3
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JANSR2N7380U3

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JANSR2N7380U3
JANSR2N7380U3
  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    9.1 A
  • 最高 ID (@25°C)
    14.4 A
  • QG
    40 nC
  • QPL部件号
    2N7380U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    180 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.5 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R4
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANSR2N7380U3 是采用 SMD-0.5 封装的单 N 沟道 MOSFET,电气性能高达 100krad(Si) TID 并符合 QPL 资格。其抗辐射 R4 HEXFET 技术为额定电压为 100V 和 9.1A 的空间应用提供了可靠的功率 MOSFET。低 RDS(on) 和低栅极电荷使其成为 DC-DC 转换器和电机控制的理想选择。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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