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JANSR2N7483T3

数据手册
封装

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JANSR2N7483T3
JANSR2N7483T3
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    18 A
  • ID (@25°C) max
    18 A
  • QG
    45 nC
  • QPL Part Number
    2N7483T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    40 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • VF max
    1.2 V
  • Product Category
    Rad hard MOSFETS
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300 500
  • Package
    TO-257AA
  • Polarity
    N
  • Generation
    R5
  • Voltage Class
    100 V
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Language
    SPICE
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA STANDARD
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7483T3 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 60V，额定电流为 18A，电气性能高达 100krad(Si) TID。IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术可确保空间应用的高性能和可靠性。低 RDS(on) 和栅极电荷可在开关应用中降低功率损耗。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }