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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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微控制器
32 位 PSOC™ Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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微控制器
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JANSR2N7483T3
商品详情
-
ESD等级Class 1C
-
最高 ID (@100°C)18 A
-
最高 ID (@25°C)18 A
-
QG45 nC
-
QPL部件号2N7483T3
-
最高 RDS (on) (@25°C)40 mΩ
-
最高 TID100 Krad(Si)
-
VBRDSS60 V
-
最高 VF1.2 V
-
产品类别Rad hard MOSFETS
-
可选TID等级 (kRad(si))100 300 500
-
封装TO-257AA
-
极性N
-
生成R5
-
电压等级100 V
-
芯片尺寸3
-
认证标准DLA
-
语言SPICE
-
配置Discrete
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OPN
|
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| 产品状态 | |
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JANSR2N7483T3 是一款抗辐射 N 沟道 MOSFET，额定电压为 60V，额定电流为 18A，电气性能高达 100krad(Si) TID。IR HiRel 抗辐射 HEXFET 技术可确保空间应用的高性能和可靠性。低 RDS(on) 和栅极电荷可在开关应用中降低功率损耗。
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