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JANSR2N7493T2

数据手册
封装

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JANSR2N7493T2
JANSR2N7493T2
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    7.4 A
  • ID (@25°C) max
    11.7 A
  • QG
    50 nC
  • QPL部件号
    2N7493T2
  • RDS (on) (@25°C) max
    80 mΩ
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300 500
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO205-3
封装名 TO-205AF (TO-39)
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
我们的 N 沟道 MOSFET JANSR2N7493T2 专为空间应用而设计，具有 100V、11.7A 容量。它采用 IR HiRel R5 技术构建，已被证明在卫星应用中具有数十年的可靠性。该单 N 沟道 MOSFET 具有低 RDS(on) 和栅极电荷，非常适合 DC-DC 转换器和电机控制。该器件采用 TO-205AF 封装，符合 QPL 要求，可提供高达 100krad TID 的电气性能。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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