现货，推荐

JANSR2N7555U3

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

JANSR2N7555U3
JANSR2N7555U3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    6.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    10 A
  • QG
    32 nC
  • QPL部件号
    2N7555U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    400 mΩ
  • SEE
    Yes
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-CCN-3
封装名 SMD-0.5 Metal Lid
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7555U3 的额定电压为 250V，可处理 10A 的电流。其电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QPL 分类，采用 R5 SMD-0.5 封装。IR HiRel R5 技术在卫星应用中提供了数十年经过验证的性能和可靠性。其低 RDS(on) 和低栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }