JANSR2N7555U3
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JANSR2N7555U3

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JANSR2N7555U3
JANSR2N7555U3

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    6.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    10 A
  • QG
    32 nC
  • QPL部件号
    2N7555U3
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    400 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7555U3 的额定电压为 250V,可处理 10A 的电流。其电气性能高达 100krad(Si) TID 和 QPL 分类,采用 R5 SMD-0.5 封装。IR HiRel R5 技术在卫星应用中提供了数十年经过验证的性能和可靠性。其低 RDS(on) 和低栅极电荷可降低开关应用中的功率损耗。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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