JANSR2N7561T2
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JANSR2N7561T2

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JANSR2N7561T2
JANSR2N7561T2
  • ESD等级
    Class 1C
  • 最高 ID (@100°C)
    3.4 A
  • 最高 ID (@25°C)
    5.4 A
  • QG
    32 nC
  • QPL部件号
    2N7561T2
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    420 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    250 V
  • 最高 VF
    1.5 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-205AF
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
抗辐射 N 沟道 MOSFET JANSR2N7561T2 采用 TO-205AF 封装,可提供高达 250V 和 5.4A 的电压和电流。QPL 资格使其成为空间应用的理想选择。凭借低 RDS(on) 和栅极电荷,此 R5 MOSFET 可降低开关应用中的功率损耗。其特点是总剂量和单粒子效应 (SEE),并且在卫星应用中具有经过验证的性能和可靠性。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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