JANSR2N7616UBN
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JANSR2N7616UBN

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JANSR2N7616UBN
JANSR2N7616UBN
  • ESD等级
    Class 0
  • 最高 ID (@100°C)
    0.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL部件号
    2N7616UB
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    680 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    UB
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V, 100 V
  • 芯片尺寸
    Z
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE, SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
JANSR2N7616UBN MOSFET 是一款单 N 通道器件,具有 60V/0.8A评级和 UB 包。它提供高达 100krad(Si)TID 和 QPL 分类的辐射硬度,具有单粒子门破裂和烧毁免疫力。该 R7 MOSFET 非常适合在辐射环境中与 CMOS 和 TTL 控制电路连接,并且可用于增加 3.3-5V 电源的输出电流。

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }