JANSR2N7616UBN
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JANSR2N7616UBN

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封装

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JANSR2N7616UBN
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数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 0
  • 最高 ID (@100°C)
    0.5 A
  • 最高 ID (@25°C)
    0.8 A
  • QG
    3.6 nC
  • QPL部件号
    2N7616UB
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    680 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    60 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    UB
  • 极性
    N
  • 生成
    R7
  • 电压等级
    100 V, 100 V
  • 芯片尺寸
    Z
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE, SPICE
  • 配置
    Discrete

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
C-LCC-3
封装名 LCC-3- Metal lid
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
C-LCC-3
封装名 LCC-3- Metal lid
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7616UBN MOSFET 是一款单 N 通道器件，具有 60V/0.8A评级和 UB 包。它提供高达 100krad（Si）TID 和 QPL 分类的辐射硬度，具有单粒子门破裂和烧毁免疫力。该 R7 MOSFET 非常适合在辐射环境中与 CMOS 和 TTL 控制电路连接，并且可用于增加 3.3-5V 电源的输出电流。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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