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JANSR2N7648D5

数据手册
封装

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JANSR2N7648D5
JANSR2N7648D5
数据手册

商品详情

  • ESD Class
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG
    44 nC
  • QPL Part Number
    2N7648D5
  • RDS (on) (@25°C) max
    35 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • Optional TID Rating (kRad(si))
    100 300
  • Package
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • Polarity
    N
  • Generation
    R9
  • Die Size
    3
  • Qualification
    DLA
  • Configuration
    Discrete
受到推崇的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7648D5 是一款抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET，额定电压为 100V，电流为 30A，专为空间应用而设计。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可提高功率密度并降低空间总线和有效载荷系统中高速开关应用中的功率损耗。MOSFET的电压控制、快速开关、易于并联和温度稳定的优点得以保留。

应用

文档

文档

设计资源

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