JANSR2N7648D5
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JANSR2N7648D5

数据手册
封装

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JANSR2N7648D5
JANSR2N7648D5
数据手册


商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • 最高 ID (@100°C)
    22 A
  • 最高 ID (@25°C)
    30 A
  • QG
    44 nC
  • QPL部件号
    2N7648D5
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    35 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 最高 VF
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Tabless Low Ohmic
  • 拓扑结构
    Discrete
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 芯片尺寸
    3
  • 质量等级
    DLA

推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 N/A
封装类型 N/A
湿度 N/A
防潮封装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257 TABLESS LOW OHMIC
封装尺寸 0
封装类型
湿度 -
防潮封装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7648D5 是一款抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET，额定电压为 100V，电流为 30A，专为空间应用而设计。其低 RDS(on) 和更快的开关时间可提高功率密度并降低空间总线和有效载荷系统中高速开关应用中的功率损耗。MOSFET的电压控制、快速开关、易于并联和温度稳定的优点得以保留。

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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