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JANSR2N7648T3

数据手册
封装

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JANSR2N7648T3
JANSR2N7648T3
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    22 A
  • ID (@25°C) max
    30 A
  • QG
    44 nC
  • QPL部件号
    2N7648T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    35 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    TO-257AA Low Ohmic
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 N/A
包装类型 N/A
湿度 N/A
防潮包装 N/A
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
M-TO257-3
封装名 TO-257AA LOW OHMIC
包装尺寸 0
包装类型
湿度 -
防潮包装
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
JANSR2N7648T3 是一款 100V、30A 抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET，采用 TO-257AA 低欧姆封装。专为空间应用而设计，其低 RDS(on) 和更快的开关时间可提高功率密度并降低卫星平台和有效载荷系统中高速开关应用中的功率损耗。这款符合 QPL 标准的设备具有更高的抗 SEE 能力，其特点是线性能量传输 (LET) 性能优异，高达 90MeV/(mg/cm2)。

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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