JANSR2N7653U2A
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JANSR2N7653U2A

数据手册
封装

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JANSR2N7653U2A
JANSR2N7653U2A
数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 3B
  • 最高 ID (@100°C)
    93 A
  • 最高 ID (@25°C)
    100 A
  • QG
    195 nC
  • QPL部件号
    2N7653U2A
  • 最高 RDS (on) (@25°C)
    6.5 mΩ
  • 最高 TID
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    300
  • 封装
    SupIR-SMD
  • 极性
    N
  • 生成
    R9
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    6
  • 认证标准
    DLA
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
推荐的
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
这款采用 SupIR-SMD 封装的抗辐射 R9 N 沟道 MOSFET 可提供高达 100V、100A 和 100krad(Si) TID 的电气性能。JANSR2N7653U2A 符合 QPL 标准，专为在太空应用中提供强劲性能而设计。低 RDS(on) 和更快的开关时间使其成为卫星总线和有效载荷电源设计中的 DC-DC 转换器和电机控制器等高速应用的理想选择。

应用

文档

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