S25FL256SAGMFAG13
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL256SAGMFAG13

数据手册
封装
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S25FL256SAGMFAG13
S25FL256SAGMFAG13
数据手册


商品详情

  • 分类
    ISO 26262-ready
  • 密度
    256 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Matte Tin Plating
  • 接口带宽
    52 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 质量等级
    Automotive

推荐的
OPN
S25FL256SAGMFAG13
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
封装尺寸 1450
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (002-15547)
封装尺寸 1450
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL256SAGMFAG13是一款256 Mb（32 MB）串行NOR闪存，采用英飞凌65纳米MIRRORBIT™技术和Eclipse架构，实现高速编程与擦除。支持SPI多I/O接口，单/双/四数据线及DDR读指令，最高133 MHz（四路DDR模式下80 MBps）。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，具备高级扇区保护、10万次擦写寿命和20年数据保持，通过AEC-Q100 Grade 1认证，适用于汽车和工业领域。

特性

  • CMOS 3.0 V内核，灵活I/O
  • SPI多I/O接口
  • 支持DDR和SDR时钟
  • 24/32位扩展寻址
  • 多种读取模式：普通、快速、双、四、DDR
  • 页编程速率高达1.5 MBps
  • 自动ECC单比特纠错
  • 混合/统一扇区擦除选项
  • 10万次擦写寿命
  • 20年数据保存
  • 1024字节OTP安全区
  • 高级扇区和块保护

产品优势

  • 灵活I/O简化系统集成
  • 高速SPI提升数据吞吐
  • DDR/SDR设计灵活
  • 扩展寻址支持大容量
  • 多读取模式优化性能
  • 快速编程加速生产
  • ECC提升数据可靠性
  • 扇区选项便于兼容
  • 高耐久降低维护成本
  • 长期保存确保数据安全
  • OTP区实现安全ID
  • 保护机制增强安全性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区