现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

S25FL512SAGBHVD13

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封装
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S25FL512SAGBHVD13
S25FL512SAGBHVD13
数据手册

商品详情

  • 密度
    512 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 105 °C
  • 工作电压
    3 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口带宽
    52 MByte/s
  • 接口
    Quad SPI
  • 接口频率(SDR/DDR) (MHz)
    133 / -
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    FL-S
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
S25FL512SAGBHVD13
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15535)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-24
封装名 FBGA-24 (002-15535)
包装尺寸 2500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
S25FL512SAGBHVD13是一款512 Mb（64 MB）SPI多I/O NOR闪存，采用Infineon MIRRORBIT™技术和Eclipse™架构，提升编程和擦除性能。支持单、双、四SPI模式及DDR命令，最高读速80 MBps，页编程速率1.5 MBps。核心电压2.7 V至3.6 V，I/O电压1.65 V至3.6 V，提供10万次擦写和20年数据保持。具备先进扇区保护、AEC-Q100汽车级和1024字节OTP，适用于代码影像、XIP和嵌入式安全数据存储。

特性

  • 3.0 V内核多功能I/O
  • SPI多I/O：单、双、四路
  • 所有I/O模式支持DDR读
  • 512字节页编程缓冲区
  • 自动ECC单比特纠错
  • 均匀256 KB扇区擦除
  • 最小10万次擦写寿命
  • 最小20年数据保存
  • 1024字节OTP安全区
  • 高级扇区及块保护
  • 电源电压2.7-3.6 V
  • I/O电压1.65 V至VCC+200 mV

产品优势

  • 灵活接口适配多种主机
  • DDR及四路I/O实现高速传输
  • 大缓冲区加快编程速度
  • ECC保障数据可靠性
  • 扇区易管理便于擦除
  • 高耐久支持频繁更新
  • 长期数据可靠保存
  • OTP安全区防伪认证
  • 强大保护防误操作
  • 宽电压支持多样设计
  • 错误报告保障数据完整
  • 兼容旧SPI闪存产品

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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